半导体分立器件
3DK306型功率开关晶体管详细规范
1 范围
1.1主题内容
本规范规定了3DK306A～I型NPN硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按
GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
1.2外形尺寸
外形尺寸应按GB 7581《半导体分立器件外形尺寸》的B2-01C型及如下规定（见图1）：
1.3最大额定值
|
型 号
|
Ptat1） TC=25℃ (W) |
VCBO
（V） |
VCEO
（V） |
VEBO
（V） |
IA
(A) |
IB
(A) |
T1
(C) |
TSTG
(C) |
|
3DK305A 3DK305B 3DK305C 3DK305D 3DK305E 3DK305F 3DK305G |
75
|
700 800 900 1000 1100 1300 1500 |
400 450 500 550 60O 700 800 |
6
|
3.75
|
10
|
175
|
-55～175
|
注：1）Tc>25℃，按333mW/℃的速率线性地降额。
25℃）|
极限值
型号 |
hFE11)
VCE=10V
IC=1.5A |
VCE(sat) |
VBE(sat) |
tCBL |
tS |
tf |
fT VCE=1OV Ic =0.1A f=3.OMHz (MHz) |
COb IE=0 VCB=1OV f=O.1MHz (pF) |
Rth(j-c)
VCF=25V Ic=1.0A (℃/W) |
|
Ic=1.5A IB=0.3A
(V) |
Ic=1.5A IB1=0.3A IB2=-0.5A (s) | ||||||||
|
|
max |
max |
min |
max |
max | ||||
|
3DK305A～I
|
红15～35 橙25～40 黄40～55 绿55～80 蓝80～120 |
1.2
|
1.5
|
1.0
|
2.2
|
1.0
|
6
|
370
|
2.0
|
注:1）hFE1≤40各档，其误差不超过士20%;hFE1>40各档，其误差不超过±10%。
2引用文件
GB 4587 双极型晶体管测试方法
GB 7581 半导体分立器件外形尺寸
GJB 33 半导体分立器件总规范
GJB 128 半导体分立器件试验方法
3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB 33和本规范的规定。
3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定。
3.2.1引出线材料和涂层
引出线材料应为可伐，引出线表面应为锡层或镍层。对引出线涂层有选择要求时，在合同或订货单中应予规定。
3.3标志
器件的标志应按GJB 33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定。
4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB 33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
器件的筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1规定极限值的器件应予剔除。
|
筛 选 （见GJB 33的表2）
|
测 试 |
|
GT和GCT级 | |
|
7、中间电参数测试 |
ICBO1和hFE1 |
|
8、功率老化 |
见4.3.1 |
|
9、最后测试
|
按本规范表1的A2分组： ⊿ICBO1≤初始值的100%或100A取较大者。 ⊿hFE1≤初始值的士20% |
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下：
Ti=162.5士12.5℃
VCE=25V
Ptot≥37.5W
4.4质量一致性检验
质量一致性检验应按GJB 33的规定进行。
4.4.1 A组检验
A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行。
4.4.2B组检验
B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行。
4.5检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定。
4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB 128的3.3.2.1的规定。
4.5.2热阻
热阻测试应按GB 4587的2.10和下列规定
a． 加功率时的Ic =0.7A;
b． VCE=25V;
c． 基准温度测试点应为管壳；
d． 基准点温度范围为25℃≤TC≤75℃，实际温度应记录；
e. 安装应带散热装置；
f． Rth(j-c)的最大极限值应为2.0 C/W。
4.5.3C组寿命试验
C组寿命试验应按GJB 33和本规范的规定进行。
4.5.4恒定加速度
恒定加速度试验应按GJB 33和本规范的规定进行。
表1 A组检验
|
检验或试验
|
GB 4587 |
LTPD
|
符号
|
极限值 |
单位
| ||
|
方法 |
条 件 |
min |
max | ||||
|
A1分组 外观及机械检验 |
GJB 128 2071 |
|
5
|
|
|
|
|
|
A2分组 集电板-发射极 击穿电压 3DK305A 3DK305B 3DK305C 3DK305D 3DK305E 3DK305F 3DK20EG 发射极-基极 击穿电压 集电报-基极 截止电流 集电极-发射极 截止电流 发射极-基极 截止电流 集电极-发射极 饱和电压 |
本规范 附录A
2.9.2.2
2.1
2.1.4
2.2
2.3
|
发射极-基极开路 IC=3mA
集电极-基极开路； IE=1mA 发射极-基极开路； VCB=VCBO 发射极-基极开路； VCE=1/2VCEO 集电极-基极开路； VEB=6V Ic=1.5A IB=0.3A |
5
|
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO1
ICEO
IEBO
VCE(sat)
|
400 450 500 55O 600 700 800 6
—
—
—
—
|
— — — — — — — —
0.3
1.0
0.3
1.2 |
V V V V V V V V
mA
mA
mA
V
|
续表1
|
检验或试验
|
GB 4587 |
LTPD
|
符号
|
极限值 |
单位 | ||
|
方法 |
条 件 |
min |
max | ||||
|
基极-发射极 饱和电压 正向电流传输比
|
2.4
2.8
|
IC=1.5A IB= 0.3A VCB=1OV
IC=1.5A
|
|
VBE(sat)
hFE1
|
—
7 15 25 40 55 |
1.5
15 25 40 55 80 |
V
|
|
A3分组 高温工作 集电极-基极 截止电流 低温工作 正向电流传输比
|
2.1
2.8
|
发射极-基极开路 VCB=0.7VCBO TA=-55℃ VCE=10V IC=1.5A 脉冲法（见4.5.1） |
1O
|
ICBO2
hFEO |
—
3
|
3.O
|
mA
|
|
A奶}缎 输出电容
导通时间
贮存时间
下降时间
|
2.11.3
A.4
A.4
A.4
|
VCB=1OV IE=O f=0.1MHz IC=1.5A IB1=0.3A IB2=-0.5A IC=1.5A IB1=0.3A IB2=-0.5A IC=1.5A IB1=0.3A IB2=-0.5A |
5
|
Coh
too
tr
tf
|
—
—
—
— |
370
1.0
2.2
1.0
|
pF
s
s
s
|
|
A5分组 安全工作区 （直流） 试验1
试验2
试验3
试验4 3DK305A |
|
TC=25℃ t=1s,单次 VCE=20V Ic=3.75A VCE=25V IC=3.0A VCE=60V IC=0.71A VCE=400V IC=31mA |
10
|
|
|
|
|
续表1
|
检验或试验
|
GB 4587 |
LTPD
|
符号
|
极限值 |
单位
| ||
|
方法 |
条 件 |
min |
max | ||||
|
3DK305B
3DK305C
3DK305D
3DK305E
3DK305F
3DK305G
最后测试 |
|
VCE=450V Ic=26mA VCE=500V Ic=22mA VCE=550V Ic=19mA VCE=600V Ic=16mA VCE=700V Ic=12mA VCE=800V Ic=10mA 见表4步骤1和3 |
|
|
|
|
|
表2 B组检验
|
检验或试验
|
GJB 128 |
LTPD
| |
|
方 法 |
条 件 | ||
|
B1分组 可焊性 标志耐久性 |
2026 1022 |
|
15
|
|
B2分组 热冲击（温度循环） 密封 a．细检漏 b．粗检漏 最后测试 |
1051 1071
|
低温-55℃ 其余条件见试验条件F 试验条件H 试验条件F
见表4步骤1和3 |
10
|
|
B3分组 稳态工作寿命
最后测试 |
1027
|
Ti=162.5土12.5℃ VCE=25V Ptot≥37.5W 见表4步骤2和4 |
5
|
|
B4分组 开帽内部目检 （设计核实） 键合强度 |
2075
2037 |
试验条件A |
每批1个器件， O失效
20(c=O) |
|
B6分组 高温寿命（不工作） 最后涮试 |
1032
|
TA=175℃ 见表4步骤2和4 |
7
|
表3 C组检验
|
检验或试验
|
C-JB 128 |
LTPD
|
符号
|
极限值 |
单位
| ||
|
方法 |
条 件 |
min |
max | ||||
|
C1分组 外形尺寸 |
2066 |
见图1 |
15
|
|
|
|
|
|
C2分组 热冲击 （玻璃应力） 引出端强度 密封 a．细检漏 b．粗检漏 综合温度/湿度周期 试验 景后测试 |
1056
2036 1071
1021
|
试验条件B
试验条件A
试验条件H 试验条件F
见表4步骤1和3 |
10
|
|
|
|
|
|
C3分组 冲击 变频振动 恒定加速度 最后测试 |
2016 3056 2006
|
按总规范 按总规范 按总规范
|
10
|
|
|
|
|
|
C4分组 盐气（侵蚀）（适用时） |
1041 |
|
15
|
|
|
|
|
|
C6分组 稳态工作寿命
最后测试 |
1026
|
TC=100℃ TI=162.5士12.5℃ VCE=25V Ptot=37.5W 见表4步骤2和4 |
=10
|
|
|
|
|
|
C8分组 热阻
|
GB 4587 2.10 |
VCE=25V Ic=1.0A |
15
|
Rth(j-c) |
|
2.0 |
C/W |
表4 A组、B组和C组最后测试
|
步骤 |
检 验
|
GB 4587 |
符号
|
极限值 |
单位
| ||
|
方法 |
条 件 |
min |
max | ||||
|
1
2
|
集电极-基极截止电流
集电极-基极截止电流
|
2.1
2.1
|
发射极-基极开路 VCB=VCBO 发射极-基极开路 VCB=VCBO |
ICBO1
ICBO1 |
—
— |
0.3
0.6
|
mA
mA
|
续表4
|
步骤
|
检 验
|
GB 4587 |
符号
|
极限值 |
单位
| ||
|
方法 |
条 件 |
min |
max | ||||
|
3
4
|
正向电流传输比
正向电流传输比
|
2.3
2.8
|
VCE=10V
IC=1.5A
VCE=10V IC=1.5 A
|
hFE1
⊿hFE11)
|
7 15 25 40 55 |
15 25 40 55 80 |
|
|
初始值的 ±25% | |||||||
注：1）本测试超过A组极限值的器件不应接收。
5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB 33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按GJB 33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB 33的规定。
6说明事项
6.1合同或订货单可规定要求的引出线材料和涂层（见3.2.1）。
6.2如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。
6.3直流安全工作区（见图2）。
附录A
集电极一发射极击穿电压测试方法
（补充件）
A1 目的
本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。
A2测试电路
注：在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作因电流表压降的校正。
图A1 集电极一发射极击穿电压测试电路
A3测试步骤
限流电阻R1应足够大，以避免过渡的电流流过晶体管和电流表。
施加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR)CEO的最低极限，晶体管为合格。
本测试方法企图表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须使晶体管的集成电极电流及结温保持在安全值以内。
A4规定条件
a． 环境温度TA；
b． 测试温度IC。
附加说明：
本规范由中国电子标准化研究所归口。
本规范由衡阳市晶体管厂负责起草。
本规范主要起草人：夏贤学、欧阳映和
计划项日代号：H901001、H901002
1850