SJ 787 74 3 DG111型NPN硅外延平面 高频小功率三极管

中华人民共和国第四机械工业部

        部  标  准                            SJ 787-74

3 DG111型NPN硅外延平面

高频小功率三极管

1、本标准适用于3 DG111硅NPN外延平面型高频小功率半导

体三极管。该产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中。

    2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件

SJ614—73的规定。

    3、外型结构和尺寸应符合SJ139—70的B--1型．

    4、技术要求和试验方法：

    (1)电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应

符合部颁标准SJ155--65～SJ170—65的规定。

    (2 )hFE分档标志：

(3)环境试验后，按顺序测最下列电参数，应符合参数规范表

的规范值。

       a)反向电流；

       b)饱和压降；

       c)电流放大系数；

       d)反向击穿电压。

    (4)高温储存和额定功率试验条件：

       a)高温储存试验条件：按TjM为175℃下进行。

b)额定功率试验条件：功率为PCM值；电压VCB为10V。

(5)高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：

  a)ICBO不得大于规范值的两倍；

  b)hFE的相对变化，不得超过±35%；

  C)VBES的相对变化，不得超过+20%；

  d)VCES的变化不得超过0.1V+VCES初·20%。

5、说明：

(1)本标准参数表中的电参数，均以25℃为准。

(2)生产单位应在产品目录中提供KP、COb的典型值。

(3)生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线．

  a)IB—VBE；

  b)IC—VCE；

  c)BVCEO、BVCBO—TA；

  d)hFE—TA；

  e)hFE—IC；

  f)fT—IC；

  g)KP—IC；

  h)Cob—VCB；

  i)ICEO、ICBO—TA。

3 DG111型NPN硅外延

平面三极管规范表

               3DG111型NPN硅外延平面              （补充部分）

                   高频小功率三极管

1、本标准适用于3DG111硅NPN外延平面型高频小功率半导

体三极管。该产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中。

    2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件

SJ281—76的规定。

3、外型结构和尺寸应符合半导体三极管测试外形尺寸SJ139—70

的B--1型。

    4、技术要求和试验方法：

    (1)电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应

符合部颁标准半导体三极管测试方法SJ155--65～SJ170—65的规定。

(2 )hFE分档标志：

允许测试误差为±10%。

    (3)环境试验后，按顺序测量下列电参数，a）、b）、d）三项

应符合参数规范表的规范值，hFE的相对变化不得超过±20%。

         a)反向电流；

         b)饱和压降；

         c)电流放大系数；

         d)反向击穿电压。

(4)高储存和额定功率试验条件：

3 DG111型NPN硅延外

平面三极管规范表

  a)高温储存试验条件：按TjM为175℃下进行。

b)额定功率试验条件：功率为PCM值；电压VCB为10V。

(5)高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：

  a)ICBO不得大于规范值的两倍；

  b)hFE的相对变化，不得超过±40%；

 c)VBES的相对变化，不得超过+30%；

  d)VCES的变化不得超过0.2V+VCES初·20%。

5、说明

(1)本标准参数表中的电参数，均以25℃为准。

(2)生产单位应在产品目录中提供KP、COb的典型值。

(3)生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线．

  a)IB—VBE；

  b)IC—VCE；

  c)BVCEO、BVCBO—TA；

  d)hFE—TA；

  e)hFE—IC；

  f)fT—IC；

  g)KP—IC；

  h)Cob—VCB；

  i)ICEO、ICBO—TA。